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產(chǎn)品與方案

提供包括封裝設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、可靠性驗(yàn)證等成套封測(cè)方案

SGT MOSFET

HYG110N11LS1C2

HYG110N11LS1C2

此器件為 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封裝產(chǎn)品,采用SGT流片工藝,該器件適合高頻應(yīng)用,可滿足如同步整流,電機(jī)驅(qū)動(dòng),高頻DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。

特性

低內(nèi)阻

優(yōu)異的QG

低輸入電容

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)



優(yōu)勢(shì)

通態(tài)損耗小

穩(wěn)定的工藝能力

高可靠性性



應(yīng)用

同步整流

AC-DC/DC-DC電源板

PD電源  

HYG110N11LS1C2

模型

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