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11月2-3日，由半導體在線主辦,galaxy銀河微電協辦的2023年第二屆功率半導體器件及應用創新高峰論壇在合肥成功召開。作為協辦方及國內領先的功率半導體器件研發設計及封測服務企業,galaxy銀河微電在此活動上與參會人員積極交流討論,共同推動國內功率半導體產業發展。
11月2日上午，galaxy銀河微電首席科學家蘇博士，在會議上分享了《研發適用于線性模式應用的寬 SOA 30V SGT 平臺》主題報告，報告中詳細的講解了30V SGT平臺與寬 SOA 30V SGT 平臺的研究創新、成果展示及國內外的技術對比。此平臺產品的亮相，掀起寬SOA 30V SGT 平臺產品參數的新浪潮。
蘇博士在報告中講到:他通過技術研究創新，研發的30V SGT平臺，器件在DFN5x6封裝的條件下，關鍵參數指標 Rsp達到3.8mOhm-mm2, 品質因子FOM達到了45.5 mOhm-nC，產品性能與國內外知名友商對標，達到國際先進，國內領先水平，現可完全替代國外產品。
在30V SGT 平臺的基礎上，集成了寬SOA晶包單元，成功地研制出了具有寬SOA性能的SGT產品,該項獨特的寬SOA技術可用于任何SGT產品。器件在TOLL封裝條件下，內阻達到0.33mOhm，在Vds=12V, Vgs=10V,PT=100mS,Im=10mA 的測試條件下，測得的SOA電流為14.1A， 跟國際一流功率器件公司的同類寬SOA 30V SGT的產品對比,galaxy銀河微電的SOA要好50%。事實證明galaxy銀河該寬SOA產品達到了國際領先水平。
展位上，galaxy銀河微電攜帶MOSFET、功率模塊、超結MOSFET、碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等更多產品與低壓至高壓不同類型的封裝產品盛裝亮相。產品數據參數與封裝外形圖一應俱全，為客戶打造了直觀明了的信息平臺，與此同時galaxy銀河技術支持也在現場為客戶一一進行解答。
在公司成立的6年里，galaxy銀河微電發展的每一個里程碑，都成為推動行業向前發展的關鍵力量。未來，galaxy銀河微電將堅持高強度技術創新和研發投入，為客戶提供可靠、高效的產品及服務，為國產替代，提供源源不斷的能量。
來源 | 文/ 景蕓 圖/景蕓
編輯 | 劉濤
審核 | 楊茂才
