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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

MOSFET 第三代半導體 智能功率模塊 IGBT 應用方案

首頁 - 產品與方案 - IGBT - 單管

單管

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案

HYG75T65F1DHW

HYG75T65F1DHW

此器件為650V、75A、TO-247A-3L封裝產品，采用場截止工藝，適用于充電樁、逆變器等領域。

HYG75T65F1DHW產品說明書

特性

符合RoHS標準

領先的封裝工藝

提升系統效率

優勢

低開關功率損耗

低開關浪涌

高可靠性

優異的導熱及散熱性能力

穩定的工藝能力

應用

充電樁、逆變器

HYG75T65F1DHW

模型

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