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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

MOSFET 第三代半導體 智能功率模塊 IGBT 應用方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - P MOSFET - 單P

單P

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案

HYG090P03LA1C1

HYG090P03LA1C1

此產品已停售，請選用 HYG090P03LR1C1

HYG090P03LA1C1產品說明書

特性

低內阻

優異的Qg

低FOM

低輸入電容

符合RoHS標準

提升系統效率

領先的封裝工藝

優勢

通態損耗小

抗沖擊能力強

高可靠性

穩定的工藝能力

驅動損耗低

應用

負載開關，DC-DC，電池保護板

HYG090P03LA1C1

模型

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