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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

單N

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案
HYG035N02KA1C2

HYG035N02KA1C2

此產品已停售，請選用HYG023N02KR1C2

特性

低內阻     

符合RoHS標準                  

100% DVDS測試

100% UIL測試                   

提升系統效率

領先的封裝工藝 


優勢

通態損耗小   

抗沖擊能力強  

優異的導熱及散熱性能力

高可靠性性

高功率密度 

穩定的工藝能力    


應用

 鋰電池保護板/太陽能控制器

HYG035N02KA1C2

模型

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galaxy銀河微電子股份有限公司

地址：西安經濟技術開發區尚稷路282號
郵箱：hy@; xa.sales@
電話：+86 29-86685702

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